29-03-2016, 17:30
(28-03-2016, 19:39)amperimetro escribió:(28-03-2016, 18:48)ethernet escribió: cpp, gracias por el post, y por mi puedes poner todo lo que quieras de información, será bien recibido y valorado,...... por otro lado lleva un curro parejo considerable, así que no es una petición, que sería como ponerte a trabajar por el morro..... Si te apetece hacerlo y tienes tiempo genial........
Pregunta:
Se rumorea que están sustituyendo IGBTs por SiC MOSFETs, ¿crees que es porque al trabajar a mayor voltaje reducen la pérdidas de electricidad? Eso debe llevar parejo una mejora en las baterías para poder tolerar la mayor temperatura asociada el mayor voltaje ¿no?
La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a los transistores bipolares:
- Consumo en modo estático muy bajo.
- Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
- Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
- Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es se expresa en nanoamperios.
- Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que conlleva a un ahorro de superficie.
- La velocidad de conmutación es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.
- Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
Todo lo que viene mas arriba se resume, que trabaja con mayores intensidades de corriente, se puede utilizar para transformar la corriente de alterna a continua y viceversa con una menor perdida y con lo cual un menor calentamiento de los componentes. un saludo cracks.
Gracia ampe.
Todo parecen ventajas para aplicarlo en estos V6 Turbo híbridos.
Esto solamente lo levanta el calvo .....Pero ya está en nuestro barco.